第三代半导体国际会议 是第三代半导体产业在中国地区的首次大规模盛会，由北京科技委和顺义政府主办，得到科技部，发改委，工信部，北京政府等相关部门大力支持的全球性高层次论坛。第三代半导体国际会议以促进第三代半导体与电力电子技术，移动通信技术，紫外探测技术和应用的国际交流与合作，引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业基础研究，衬底外延工艺，电力电子器件，电路与模块，下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台，致力于拓展业界所关注的目标市场，以专业精神恒久缔造企业的商业价值。

活动宗旨
为新兴产业第三代半导体的科研、生产、应用提供国际化信息化的交流平台，引导第三代半导体产业全面健康发展，加强技术交流和商业合作。
 
活动背景
半导体产业是信息技术的核心，信息技术日新月异，集成电路、电力电子器件、LED照明等对材料提出了更高的要求。第一代半导体材料-Si渐趋摩尔定律的极限，而第三代半导体材料凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，成为了新材料的热点，有着巨大的市场应用潜力。工业化大规模生产是大势所趋。国际上第三代半导体产业竞争激烈，众多国家将其列入国家战略，一旦突破产业化技术瓶颈，将会带动上下游产业全面爆发。
新经济时代背景下，我国大力支持第三代半导体的发展，中长期规划纲要、十三五重大专项，“大众创新、万众创新”计划和促进科技成果转化方法等等，应用需求如全面推进智能电网、先进轨道交通、新能源汽车项目等，为第三代半导体的蓬勃发展提供了良好的平台。
新阶段，互联网+开启信息经济全面发展的新时代，信息技术的融合和发展消融了信息资源分享的壁垒，对科研、生产、应用的创新与融合提出了更高效的要求，第三代半导体的时代需要全球性的交流、合作、创新与共赢。

论坛焦点
1.第三代半导体产业的新态势
2.第三代半导体产业的新格局
3.第三代半导体技术面临的机遇与挑战、
4.第三代半导体的应用以及潜在应用
5.第三代半导体产业标准体系的建设
6.第三代半导体全产业链的发展攻略及实策
 
日程总览
PART 1：全体大会
2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（IFWS 2016）开幕式
PART 2：专题会议
分论坛S1：碳化硅电力电子器件技术
分论坛S2：氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术
分论坛S3：第三代半导体与新一代移动通信技术
分论坛S4：第三代半导体与固态紫外器件
PART 3：跨界研讨会
跨界创新研讨会
PART 4：交流与展示
POSTER学术交流
创新之角展示
PART 5：同期活动
·第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2016)系列会议
·全体大会：第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2016)开幕大会
·全体大会：第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2016)闭幕大会
·材料与装备技术
·芯片、器件、封装与模组技术
·可靠性与热管理技术
·驱动、智能与控制技术
·生物农业照明
·光品质与健康医疗照明
·智慧照明与智能应用
·照明设计与创新应用
·国际半导体照明联盟系列会议
 
会议摘要：
S1：碳化硅电力电子器件技术
碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。本分会的主题涵盖SiC衬底、同质外延、电力电子器件、模块封装和应用技术。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅电力电子器件技术及其应用的最新进展。
 
S2：氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术
宽禁带半导体氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。除了碳化硅和氮化镓电力电子器件外，具有更高性能潜力的金刚石、氧化镓等其它新型宽禁带半导体电力电子器件近年来也不断获得技术的突破。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性以及其它新型宽禁带半导体电力电子器件等。将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件研究与应用的最新进展。
 
S3：第三代半导体与新一代移动通信技术
第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
 
S4：第三代半导体与固态紫外器件技术
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。本分会将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先进封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。分会面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名专家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。