With a history stretching back nearly 60 years, the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) is the world pre-eminent forum for reporting technological breakthroughs in the areas of semiconductor and electronic device technology, design, manufacturing, physics, and modeling. IEDM is the flagship conference for nanometer-scale CMOS transistor technology, advanced memory, displays, sensors, MEMS devices, novel quantum and nano-scale devices and phenomenology, optoelectronics, devices for power and energy harvesting, high-speed devices, as well as process technology and device modeling and simulation. The conference scope not only encompasses devices in silicon, compound and organic semiconductors, but also in emerging material systems. IEDM is truly an international conference, with strong representation from speakers from around the globe. In 2013 there is once again an increased emphasis on circuit and device interaction. With ever increasing transistor count, nanometer design rules and layout restrictions, circuit-device interaction is becoming critical to providing viable technology solutions. This new emphasis includes technology/circuit co-optimization, power/performance/area analyses, design for manufacturing and process control, as well as CMOS platform technology and scaling.
12月09日
2013
12月11日
2013
注册截止日期
2023年06月10日 美国 San Francisco
2023 IEEE国际电子器件会议2022年12月02日 美国 San Francisco
2022 IEEE国际电子器件会议2021年12月13日 美国 San Francisco,USA
2021 IEEE国际电子器件会议2020年12月10日 美国 San Francisco,USA
2020 IEEE国际电子器件会议2019年12月09日 美国 San Francisco, USA
2019 IEEE国际电子器件会议2018年11月29日 美国 San Francisco,USA
2018 IEEE国际电子器件会议2017年12月04日 美国
2017 IEEE国际电子器件会议2016年12月03日 美国 San Francisco,USA
2016 IEEE国际电子器件会议2015年12月07日 美国
2015年IEEE国际电子器件会议2014年12月15日 美国
2014年IEEE国际电子器件会议
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