今年是山西省将2022年确定为“创新生态建设提质年”,并重点实施八大提质行动,启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设。其中,八大举措分别为聚焦高水平科技供给、聚焦高起点平台培育、聚焦高质量市场主体倍增、聚焦高价值成果推广、聚焦高标准政策创设、聚焦高素质人才培育、聚焦高品质民生服务、聚焦高层次科技展会。
其中,聚焦高水平科技供给,实施关键核心技术攻坚提质行动。积极争取国家重点研发计划、关键核心技术攻关等国家任务。着力服务太忻一体化经济区建设,在先进制造业、半导体等领域,以“揭榜挂帅”方式,新布局实施一批科技重大专项。在高端装备制造、信创、新材料等方面系统梳理产业链上下游重点环节技术瓶颈,精准部署100项重点研发计划项目。从创新平台基地建设、科技成果转化引导、科技战略研究、科技合作交流、创新人才团队、创新服务能力、科技奖补、科技金融以及科普宣传等9方面实施300个专项项目,提升产业链供应链韧性。聚焦高起点平台培育,实施创新平台建设提质行动,启动国家第三代半导体技术创新中心(山西)建设。
恰逢其时,全国MOCVD学术会议作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台,自1989年第一届会议举办以来,已经成功举办了十六届,会议规模和影响力越来越大,成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。第十七届全国MOCVD学术会议将于8月16-19日在山西太原召开!
名誉主席:
曹健林(全国政协教科卫体委员会副主任、国家科学技术部原副部长)
会议主席:
李晋闽 (半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中国科学院半导体研究所研究员)
吴 玲 (第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长)
顾问委员会(按姓氏首字母排序):陈良惠、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、侯洵、黄如、黄维、贾明星、李树深、刘纪美、刘明、罗毅、孙祥祯、王立军、王启明、王圩、王占国、夏建白、许宁生、杨德仁、叶志镇、郑婉华、郑有炓、祝宁华
程序委员会:
主 任:
李晋闽(中国科学院半导体研究所)
张 荣(厦门大学)
江风益(南昌大学)
副主任:
谭平恒(中国科学院半导体研究所)
沈兴全(中北大学)
许小红(山西师范大学)
委 员(按姓氏首字母排序):毕文刚、蔡树军、曾一平、陈弘、陈弘达、陈敬、陈凯轩、陈堂胜、陈长清、程凯、单崇新、杜国同、杜志游、冯淦、冯志红、高焕芝、顾书林、郭浩中、郭世平、郭太良、郭伟玲、郭霞、韩仲、郝茂盛、郝智彪、胡晓东、康俊勇、黎大兵、李国强、李晓航、林科闯、刘斌、刘建利、刘俊、刘扬、刘玉怀、龙世兵、陆海、陆卫、骆薇薇、马杰、潘毅、申德振、沈波、唐景庭、王钢、王国宏、王向武、王晓亮、王新强、王英民、徐宸科、徐科、徐现刚、杨辉、云峰、张佰君、张保平、张国义、张进成、张乃千、张韵、赵德刚
组织委员会:
主 任:
王军喜(中国科学院半导体研究所)
阮 军(中关村半导体照明工程研发及产业联盟)
副主任:
魏同波(中国科学院半导体研究所)
刘志强(中国科学院半导体研究所)
委 员(按姓氏首字母排序):蔡端俊、曹峻松、陈敦军、陈鹏、陈志涛、戴江南、董志江、耿博、胡卫国、黄凯、黄森、江灏、李金钗、李虞锋、李忠辉、梁庭、刘建平、宁静、孙海定、孙捷、孙钱、孙晓娟、唐宁、涂长峰、汪莱、汪连山、汪炼成、王光绪、王江波、王科、王茂俊、王申、谢自力、修向前、许福军、许晟瑞、闫建昌、杨树、杨学林、叶建东、伊晓燕、于彤军、张峰、张纪才、张源涛、张紫辉、赵璐冰、左然
组委会秘书:
薛 斌(中国科学院半导体研究所)
郭亚楠(中国科学院半导体研究所)
2022年8月16日-19日,以“探索材料新动能·智创未来芯发展”为主题,第十七届全国MOCVD学术会议(MOCVD 2022)将在山西太原举行。本届大会是在国家科学技术部指导下,由中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办,半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办,山西大学、中北大学、山西师范大学等单位协办支持。
届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备(整机/部件/配件/原材料)、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流,了解发展动态,促进相互合作。
同时,大会征文活动同步启动,现面向外延生长机理和生长动力学,半导体材料结构与物性,光电子材料与器件,电子材料与器件,超宽禁带半导体材料与器件,低维半导体等新型材料与器件,封装技术及封装材料,装备与基础原材料等方向展开广泛征文。目前,会议征文有序进行,欢迎大家踊跃投稿。
主题方向(建议主题但不限于)
(1)外延生长机理和生长动力学
(2)半导体材料结构与物性
(3)光电子材料与器件
(4)电子材料与器件
(5)超宽禁带半导体材料与器件
(6)低维半导体等新型材料与器件
(7)封装技术及封装材料
(8)装备与基础原材料
1. 符合上述内容的论文摘要;
2. 论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位;
3. 论文摘要须以WORD文档格式,包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸。相关模板可登录大会官网自行下载,提交截止日前以电子邮件方式提交至会议组委会秘书组;
4. 所有论文摘要均编入会议文集。
08月16日
2022
08月19日
2022
初稿截稿日期
初稿录用通知日期
2016年08月16日 中国 延吉市
第十四届全国MOCVD学术会议2010年01月12日 中国 苏州市
第十一届全国MOCVD学术会议
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