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28nm Kelvin Via Rc Reduction in Metal Hard Mask based Cu Ultra low-k Interconnects by Special Gas Plasma Etching Development摘要待审

年亨 张*

#全体主题

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28nm Kelvin Via Rc Reduction in Metal Hard-mask based Cu/Ultra Low-K Interconnects by Special Gas Base Plasma Etching Development摘要待审

年亨 张*

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28nm Kelvin Via Rc Reduction in Metal Hard-mask based Cu/Ultra low-k Interconnects by Special Gas Base Plasma Etching Development全文待审

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重要日期

  • 会议日期

    06月09日

    2019

    至

    06月10日

    2019

  • 03月31日 2019

    初稿截稿日期

  • 06月10日 2019

    注册截止日期

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