ZnO具有激子束缚能高、可见光透过率高、紫外吸收强等特点，同时拥有压电、热电等特性，是一种独特的第三代半导体材料。经过十多年持续的攻关研究，人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池、发电机、传感器、探测器、发光二极管和激光器等领域的应用成果不断涌现，特别是ZnO透明导电膜、薄膜晶体管等方面的大规模工业应用已迅速展开。目前，ZnO的研究已进入功能扩展与综合利用的新阶段，有着巨大的潜在应用前景。
全国氧化锌学术会议是由中国物理学会发光分会主办的专注ZnO科学研究进展交流的全国性重要会议，每两年举办一次。第八届全国氧化锌学术会议拟定于2017年10月29-31日在南宁市召开，本届会议由北京科技大学和广西大学联合承办。本届会议旨在集中展示我国ZnO研究领域取得的最新科研成果，为相关科技工作者提供一个学术和技术交流的平台，共同研讨ZnO研究中存在的基本科学和技术问题，探寻解决途径，大力推动我国在ZnO相关物理问题和器件应用方面的研究。
会议将邀请海内外从事ZnO研究的著名专家学者作大会邀请报告，并将安排分会邀请报告、口头报告、墙报展示和专题讨论等活动。热忱欢迎国内外广大科技工作者，特别是青年科技工作者和研究生踊跃投稿，同时欢迎相关设备和仪器制造领域的科技人员和厂商参加交流展览。

摘要投稿要求 
来稿应为论文详细摘要，每篇1页（包括图表），中文、英文均可。页面及格式要求：A4幅面，上、下、左、右边距均为3厘米，单倍行距。题目（3号黑体字，居中），作者（4号黑体字，居中），单位和邮政编码（5号宋体字，居中），正文和参考文献（5号宋体字）。
会议注册费 及缴纳方式 
9月15日前:1500元/人，学生1000元/人，家属600元/人，企业注册费2000元； 
收款单位：广西大学；银行帐号：6184 5748 4938。
现场缴费: 1800元/人，学生1300元/人，家属600元/人，企业注册费2500元。